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紫外LED与深紫外LED的新发展

       紫外LED的用途广泛:UVA:大于315nm,可以用于医疗,印刷,光刻,验钞和光催化等;UVB:280到315nm,用于医疗,生物分析(如DNA)等;UVC:小于280nm,用于杀菌(水、空气净化)和成分分析等。 
  在报告中,Akira Hirano教授介绍了一种紫外LED与深紫外LED的制备实验。实验过程中,采用倒装结构,芯片尺寸为800*800μm2,P电极面积为0.15mm2,电流密度在0.1A下为66A/cm2。为提高出光效率,在蓝宝石衬底的表面制作饿眼抗反射结构。最终分别制备了发光波长为354nm(GaN阱,非横向外延),280nm(Al0.35Ga0.65N阱,非横向外延)和259nm(Al0.57Ga0.43N阱,非横向外延)的紫外LED。 
  结果显示,354nm的LED在500mA直流下发光功率为50毫瓦,200mA下寿命为500小时(功率下降70%)。280nm的LED在500mA直流下发光功率为75毫瓦。259nm的LED在500mA直流下发光功率为38毫瓦。采用横向外延技术的GaN阱的发光波长为343nm,500mA直流下发光功率为75毫瓦。
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点击次数:  更新时间:2011-05-16 16:33:02  【打印此页】  【关闭
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